麦克龙暂停台湾陶园工厂建设,受劳工争端影响
麦克龙暂停台湾陶园工厂建设。受劳工争端影响,工地主要施工停滞。此前员工曾罢工,公司拟发高额奖金,部分可达年薪五倍。近期三星、SK海力士等芯片巨头员工也抗议要求分享AI利润,劳资谈判成行业焦点。
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麦克龙暂停台湾陶园工厂建设。受劳工争端影响,工地主要施工停滞。此前员工曾罢工,公司拟发高额奖金,部分可达年薪五倍。近期三星、SK海力士等芯片巨头员工也抗议要求分享AI利润,劳资谈判成行业焦点。
Intel将部分产能从消费级转向数据中心CPU,以应对AI带来的供应短缺。公司计划扩大爱尔兰Fab 24的Xeon产量,并将俄勒冈州工厂资源转为生产高需求的数据中心晶圆,预计新产能于2027年投入使用。
Intel以色列工厂爆炸致约6亿美元收入损失,两名工人遇难。事故重创数据中心处理器产能,叠加PC需求疲软,公司预计Q4营收减少3亿美元,毛利率受损200个基点。
Intel CEO确认Nova Lake将采用18A-P工艺,良率预计达Panther Lake两倍。该节点较标准18A提速9%或降耗18%,更多细节将于明年CES披露。
长鑫存储拟2026年量产HBM3E,良率仅两至三成。尽管落后SK海力士两代且成本高昂,但为缓解制裁导致的内存短缺,国内AI厂商仍将其作为关键供应来源,优先保障供应链安全而非经济效率。
Intel在俄勒冈与新墨西哥获巨额税收减免,致地方损失超12亿美元。报告显示,其享受的财产税豁免远超实际支付税款,导致当地公立学校等机构承受巨大财政缺口,引发对成熟设施长期补贴必要性的质疑。
SK海力士宣布放弃Solidigm IPO计划。因市场波动导致估值不理想,公司决定暂缓上市,但确认仍将在美国建厂以应对AI驱动的企业级存储需求,并继续探索其他融资方式。
台积电正寻找无稀土替代方案,以规避出口管制风险。中国掌控全球约90%的稀土精炼产能及95%的成品磁铁生产,其近期扩大的管制措施直接威胁晶圆厂自动化设备供应,迫使台积电调整供应链策略。
Intel亚利桑那Fab 62工厂开始安装设备,预计2028年底运营。同时确认High-NA EUV技术已整合至大批量制造流程,并应用于Panther Lake等芯片生产。
美光台湾工厂拟10月22日罢工,要求明确奖金条款。谈判破裂后工会发起行动,涉及约1.5万名员工。该厂生产DDR5及HBM等芯片,若台中基地参与,可能冲击当前旺盛的内存供应与产量。
英特尔向FCC申请豁免,以继续使用AGV运输敏感晶片。因缺乏国内替代品,若强制更换将耗时数年并削弱美国芯片制造能力。目前主要供应商来自日本,台积电、三星等未来建厂或也需类似豁免。
SK海力士拟在美建厂,换取中国设备出口许可。其大连工厂是全球唯一生产192层浮栅NAND的设施,因依赖美国设备且受限于出口管制,扩产受阻。公司计划利用闲置产能增收,以资助美国建厂并支撑IPO筹备。
以色列Intel基里亚特加特工厂发生爆炸,致2死1重伤。警方疑因燃气故障引发火灾,涉及三氟化氮。该厂生产Intel 7节点产品,事故或加剧产能紧张。
格芯发布FDX Fusion工艺,2028年量产。该7纳米级技术基于FD-SOI架构,主打低功耗与高集成度,面向汽车及边缘AI领域。宝马、特斯拉等客户已表达兴趣,旨在简化芯片设计并降低成本。
GlobalFoundries与台积电达成20亿美元封装合作。GF将在纽约工厂生产CoWoS硅中介层,预计2028年上半年量产,旨在填补美国先进封装供应链缺口。
华盛顿智库报告称,中国已积累343台DUV光刻机。其中270台为具备7nm潜力的NXT:1980i系列。尽管EUV受限,这些设备仍赋予本土工厂生产复杂处理器的能力,凸显出口管制存在漏洞。
长鑫存储第五代DRAM工艺量产。该工艺半间距缩至11.95nm,首批24Gb LPDDR5X芯片容量提升50%,已进入国内主流旗舰手机供应链。
中科院微电子所利用DUV光刻制造出GAA晶体管。该工艺旨在为无EUV环境下实现3纳米及以下制程提供路径,已验证器件栅控功能正常,但未披露关键几何参数,尚非量产方案。
日美磋商在美建晶圆厂,格罗方德拟运营。项目规模达2至3万亿日元,聚焦逻辑半导体生产。该计划是日本对美5500亿美元投资承诺的一部分,双方官员已就可行性及回报展开会谈。