据路透社报道，SK Hynix 正就其子公司 Solidigm 在美国建设 3D NAND 工厂的计划与美国政府进行博弈。作为交换条件，SK Hynix 要求美方放宽对其位于中国大连工厂的半导体制造设备出口限制。
美国本土 NAND 产能缺口与政策背景
目前，美国本土已多年没有企业生产 NAND 闪存芯片。Solidigm 考虑在美国建立 3D NAND 工厂的潜在投资，被视为 SK Hynix 整体战略的一部分。这一举措旨在填补特朗普政府推动半导体制造业回流美国过程中的重要空白。
大连工厂的战略地位与出口管制现状
Solidigm 的大连工厂是全球唯一生产 192 层浮栅（Floating Gate）3D NAND 的设施，该产品主要用于数据中心级 SSD，服务于 AI、企业及超大规模数据中心客户。该工厂的生产高度依赖应用材料（Applied Materials）、KLA 和 Lam Research 等美国主要供应商的设备，而这些设备向中国出口需获得美国政府许可。
尽管美国当局倾向于批准维持三星或 SK Hynix 等跨国公司在华工厂日常运营所需的特定工具进口，但明确反对扩大中国工厂产能或引入新的制造技术。此前，Solidigm 曾申请额外的工具出口许可证，但未获批准。去年 12 月，美国商务部授予 SK Hynix 在 2026 年向大连供应设备的有限授权，但尚未颁发针对 2027 年的类似许可。
闲置产能利用与融资计划
Solidigm 希望在其大连 Mod B 工厂的未使用区域安装更多制造设备。该建筑于 2023 年建成，但因当时存储器市场衰退，并未完全配备生产线，仍有大量空间可供部署额外工具。由于 Solidigm 生产的每一块 SSD 均已售出，闲置产能意味着直接的收入损失。鉴于该建筑早已完工，在其中安装设备不被视为产能扩张，而是对现有资源的充分利用。
通过增加在中国的生产规模，Solidigm 可以获得用于资助其拟议中的美国工厂建设的利润，并支撑业务直至国内制造能力就绪。此外，该公司还在考虑于 2027 年初进行首次公开募股（IPO），以筹集额外资金。
技术路线图：迈向第 5 代和第 6 代 NAND
Solidigm 此前已确认将继续深化浮栅 3D NAND 技术的发展。在 2026 年电脑展期间接受 Tom's Hardware 采访时，领导 Solidigm AI 解决方案和生态系统业务的 Avi Shetty 表示，公司计划开发超越现有 192 层技术的第 5 代和第 6 代浮栅 NAND。Shetty 强调了最大化工厂利用率和盈利能力的重要性，但未具体透露大连工厂扩产或美国新工厂建设的细节。
然而，最新报告表明，SK Hynix 不仅打算继续推进 Solidigm 新一代浮栅 NAND 的研发，还计划同时扩大其在中国和美国的生产布局。
