美光宣布G11 NAND将于2027年量产
美光宣布G11 NAND将于2027年量产。该代际采用晶圆对晶圆键合及400+层堆叠技术,比特密度较当前产品翻倍,I/O性能提升50%,能耗降低超25%,旨在满足AI存储需求。
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美光宣布G11 NAND将于2027年量产。该代际采用晶圆对晶圆键合及400+层堆叠技术,比特密度较当前产品翻倍,I/O性能提升50%,能耗降低超25%,旨在满足AI存储需求。
SK海力士拟在美建厂,换取中国设备出口许可。其大连工厂是全球唯一生产192层浮栅NAND的设施,因依赖美国设备且受限于出口管制,扩产受阻。公司计划利用闲置产能增收,以资助美国建厂并支撑IPO筹备。
美光起诉长江存储窃取技术并反诉侵权。指控YMTC挖角前工程师,利用在美光任职期间开发的机密3D NAND技术申请专利,反过来起诉美光。诉讼点名多名关键人物,涉及高深宽比蚀刻等核心工艺。
德国法院禁令美光侵犯长江存储专利。该案涉及两项3D NAND实用新型专利,系双方三年多边形诉讼战的阶段性胜利。虽为一审且美光已上诉,但此举或限制其在德供应能力,影响欧洲NAND市场格局。