据路透社报道，中国主要 DRAM 制造商长鑫存储（CXMT）计划于 2026 年第四季度末启动 HBM3E 内存芯片的大规模生产。尽管其技术代际落后于 SK 海力士和三星目前正在量产的 HBM4E 芯片两代，但这一举措被视为应对供应链限制的关键步骤。
目前，CXMT 在 HBM3E 芯片上的良率仅为 20% 至 30%，远低于 SK 海力士在同类型产品上约 70% 的良率水平。在商业制造线上维持低于 30% 的良率意味着绝大多数晶圆会被废弃或需重新加工，从而显著推高单位成本。然而，对于中国国内计算部门而言，供应的可获得性已取代经济效率成为首要考量。这一策略旨在缓解因美国制裁导致的芯片短缺问题，该问题曾使华为、寒武纪、壁仞科技（Biren Technology）、摩尔线程（MetaX）及天数智芯（Iluvatar CoreX）等国内 AI 加速器厂商难以获取足够的内存组件。
随着外部供应受限以及非官方渠道收取高额溢价，内存瓶颈迫使中国本土 AI 加速器供应商将当前及下一代产品的价格上调了 20% 至 50%。即便 CXMT 的 HBM3E 定价较高，采购国产芯片仍为这些企业提供了一条可行的、免受制裁影响的供应链，以维持本地 AI 加速器的持续生产。
部分中国 AI 芯片设计商已获取两种版本的 HBM3E 芯片：基础版以及专为提升良率而设计的改良版。初步测试数据显示，CXMT 的 HBM3E 性能更接近 SK 海力士上一代的 HBM3 标准，而非与韩国当前的 HBM3E 变种处于同一竞争层级。这主要归因于贸易限制阻碍了对最先进制造和封装工具（如高密度硅通孔 TSV 互连及精确垂直堆叠技术）的获取。因此，信号完整性保持和散热管理仍是 CXMT 面临的主要技术障碍。
这一现状表明，中国国内 AI 硬件生态系统正优先考虑功能层面的自力更生，而非追求制造经济性，即使这意味着在全球前沿技术上滞后整整一个架构世代。
