长鑫存储拟2026年量产HBM3E,良率仅两成
长鑫存储拟2026年量产HBM3E,良率仅两至三成。尽管落后SK海力士两代且成本高昂,但为缓解制裁导致的内存短缺,国内AI厂商仍将其作为关键供应来源,优先保障供应链安全而非经济效率。
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长鑫存储拟2026年量产HBM3E,良率仅两至三成。尽管落后SK海力士两代且成本高昂,但为缓解制裁导致的内存短缺,国内AI厂商仍将其作为关键供应来源,优先保障供应链安全而非经济效率。
Marvell展示光子织物存储模块,2027年采样。该架构通过光纤连接16个模块,实现跨主机共享32TB DDR5及1152GB HBM3e内存池,旨在以光信号替代铜缆解耦计算与内存,缓解AI推理中的KV缓存瓶颈。
在AI算力供需失衡下,英伟达Blackwell B200二手及转售价格较首发官价溢价58%,出现“落地即升值”。云厂商、主权AI及AI企业争抢算力,叠加台积电先进制程、CoWoS-L封装与HBM3E产能瓶颈,交付周期延长,高溢价短期难回落。