长鑫存储拟2026年量产HBM3E,良率仅两成
长鑫存储拟2026年量产HBM3E,良率仅两至三成。尽管落后SK海力士两代且成本高昂,但为缓解制裁导致的内存短缺,国内AI厂商仍将其作为关键供应来源,优先保障供应链安全而非经济效率。
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长鑫存储拟2026年量产HBM3E,良率仅两至三成。尽管落后SK海力士两代且成本高昂,但为缓解制裁导致的内存短缺,国内AI厂商仍将其作为关键供应来源,优先保障供应链安全而非经济效率。
三星与SK海力士加速升级中国工厂产能,以应对AI需求。三星西安厂拟年内转向286层闪存,SK海力士大连厂目标迈向240层芯片。受美国出口管制影响,设备审批流程延缓了升级进度。
长鑫存储DRAM产能拟2028年翻倍。尽管月产量预计增至50万至60万片,但受限于中国本土需求优先及缺乏价格优势,此举难缓解全球内存紧张。戴尔CEO警告,存储器危机或持续至2030年。
长鑫存储拟2025年底推4F2架构DDR5内存。该设计利用垂直晶体管技术,理论上可将单元面积减少约三分之一。目前CXMT全球DRAM收入份额升至9.5%,排名第四,但新品具体规格尚未公布。
长鑫存储第五代DRAM工艺量产。该工艺半间距缩至11.95nm,首批24Gb LPDDR5X芯片容量提升50%,已进入国内主流旗舰手机供应链。
长鑫存储量产第五代DRAM工艺。该工艺将内存密度翻倍,并推出24GB LPDDR5X模块。若定价合理,有望缓解全球内存短缺,利好中国电子制造商。
据Toms Hardware报道,中国内存制造商长鑫存储(CXMT)正计划将业务扩展至NAND闪存领域,拟为SSD生产闪存芯片。目前该公司主营DRAM,具体时间表及产能细节尚未披露。
陶哲轩等25位菲尔兹奖得主联名警示AI目标错位。苹果CEO回应折叠屏不做半成品,特斯拉Model Y高性能版售价36.9万元上市,长鑫存储利润率超三星海力士。