DRAM成本飙升致手机SoC出货降21%，苹果份额逼近高通
DRAM涨价致2026年Q3手机SoC出货降21%，苹果份额增4%逼近高通。入门机减配、旗舰涨价延长换机周期，厂商主动去库存加剧萎缩。Counterpoint预计Q4 RAM再涨55%，明年市场或续缩3%-4%。
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Team Group CEO警告：内存短缺将持续至2027年
内存芯片短缺预计恶化至2027年底。现货与合同价差达30%-50%，DDR5价格一年涨超550%。高端芯片持续供不应求，预算级组件难降价。AI数据中心建设加剧供应压力。
苹果内存成本激增330亿美元，供应链短缺或延续至2028年
苹果内存采购成本激增330亿美元，CEO称涨幅前所未有。受AI数据中心挤压供应影响，三星等供应商预警短缺或延续至2028年，苹果已调整多款产品售价以缓解压力。
Solidigm拟450亿美元在美建厂，求升级大连工厂
Solidigm拟投450亿美元在美建厂。该公司正与美国商务部谈判，诉求包括获准向中国大连工厂出口升级设备，以支持美国项目建设。目前审批结果未定，全球NAND产能紧张加剧了博弈复杂性。
SK海力士Q3营业利润激增632%并拟返还450亿美元
SK海力士Q3营业利润同比激增632%。受AI半导体需求推动，其季度营收创纪录，并宣布拟向股东额外返还450亿美元。分析师认为行业上升周期或持续至2027年。
美光宣布G11 NAND将于2027年量产
美光宣布G11 NAND将于2027年量产。该代际采用晶圆对晶圆键合及400+层堆叠技术，比特密度较当前产品翻倍，I/O性能提升50%，能耗降低超25%，旨在满足AI存储需求。
SK海力士放弃Solidigm IPO，仍将在美建厂
SK海力士宣布放弃Solidigm IPO计划。因市场波动导致估值不理想，公司决定暂缓上市，但确认仍将在美国建厂以应对AI驱动的企业级存储需求，并继续探索其他融资方式。
三星与SK海力士加速升级中国工厂产能以应对AI需求
三星与SK海力士加速升级中国工厂产能，以应对AI需求。三星西安厂拟年内转向286层闪存，SK海力士大连厂目标迈向240层芯片。受美国出口管制影响，设备审批流程延缓了升级进度。
Solidigm拟赴美建厂换取设备运往中国大连
Solidigm拟赴美建厂换取设备运往中国大连。该公司计划以纽约州为潜在选址，旨在扩大NAND产能应对AI需求激增。此举正值美国收紧对华芯片出口限制之际，市场预测四季度闪存价格将上涨15%至20%。
ROM早已非只读：闪存演变与内存涨价
ROM早已非只读，现代存储普遍可读写。受AI数据中心需求驱动，传统DRAM合同价年初同比上涨90%至95%，微软亦关闭Crucial消费品牌以倾斜资源，内存市场正经历显著波动。
三星2026Q3业绩预计翻倍，AI内存需求驱动增长
三星发布初步指引，预计2026年Q3销售额翻倍至1450亿美元，营业利润近九倍。AI内存需求激增是核心驱动力，但产能倾斜致PC等消费电子组件涨价，供应紧缩或持续至2028年。
内存危机致欧洲手机销量跌，运营商份额升至36%
内存危机致欧洲手机销量下滑，运营商份额逆势升至36%。AI驱动下存储组件短缺推高成本，重创低端公开市场，促使高端机型占比提升。Apple超越Samsung领跑运营商渠道，二手市场预计增长12%。
YMTC预测全球内存短缺将持续至少三年
YMTC内部人士预计全球内存短缺将持续至少三年。TrendForce指出，受美国云巨头需求推动，2026年第四季度RAM价格将显著上涨。目前DDR5价格已大幅攀升，供应平衡有望在2027年下半年恢复。
Suneast推2TB MicroSD Express卡助Switch 2扩容
Suneast在亚马逊展示2TB MicroSD Express卡，适配Switch 2。该卡预计容纳45至60款大型游戏，但因AI驱动NAND闪存供应紧张，售价高昂且普及时间或推迟至2027年。
美光Q4毛利率创87%纪录，移动业务运营利润率高达88%
美光Q4毛利率创87%纪录，收入达542亿美元。移动业务运营利润率高达88%，各板块利润显著增长。公司预计未来内存供应将更紧张，下季度收入有望再创新高。
美光：内存短缺或持续至2028年，毛利率创纪录
美光称内存短缺或持续至2028年。CEO表示明年产能已售罄，客户需支付更高价格。尽管毛利率创纪录达86.25%，但AI驱动的需求激增使供需失衡加剧，行业紧张程度预计超过今年。
美光CEO：2027-28年内存供应将更紧张
美光CEO称2027-28年内存供应将更紧张。尽管规划了额外洁净室空间，公司仍无法预测供需何时恢复平衡。目前DRAM价格已涨约17%-19%，NAND上涨约30%，且超75%的2027年产量已被分配。
AI数据中心扩张致入门级手机出货量预计降40%
AI数据中心扩张挤压内存产能，入门级手机出货量预计2030年降40%。DRAM价格翻倍致成本攀升，厂商缩减低价线，中端市场成竞争主战场，数字鸿沟或加剧。
长鑫存储计划进军NAND闪存领域
据Toms Hardware报道，中国内存制造商长鑫存储（CXMT）正计划将业务扩展至NAND闪存领域，拟为SSD生产闪存芯片。目前该公司主营DRAM，具体时间表及产能细节尚未披露。
苹果接受三星2027年内存涨价，iPhone或再涨价
iPhone 18 Pro明日上市，售价较17 Pro涨1000元，iPhone 17与Air亦涨价。苹果据称与三星达成内存/闪存新协议，明年iPhone或继续涨价；2027年采购价高于三星2026报价，三星也向其他厂商提出涨价。