ROM早已非只读:闪存演变与内存涨价

ROM早已非只读,现代存储普遍可读写。受AI数据中心需求驱动,传统DRAM合同价年初同比上涨90%至95%,微软亦关闭Crucial消费品牌以倾斜资源,内存市场正经历显著波动。

ROM 早已不再是字面意义上的“只读”。

DRAM合同价同比涨90%

教科书通常将 RAM 与 ROM 的区别描述得简单明了:RAM 是设备用于“思考”的易失性内存,而 ROM 则是用于“记忆”的非易失性存储。理论上,处理器正在处理的数据位于 RAM 中,断电即消失;ROM 则保存设备启动所需的永久指令,无论电源状态如何均保持不变。然而,在现代电子设备中,这种界限已变得模糊,许多仍被称为 ROM 的组件实际上具备可读写能力。

什么是 RAM

任何在设备上运行的程序都依赖 RAM。以浏览器为例,打开标签页时,数据会从存储介质复制到 RAM 中。RAM 通过微小的电容器存储电荷来保留每一位数据,一旦断电,电荷无法维持,所有数据随即丢失。

对于 DIY 爱好者而言,PC 中常见的 DDR5 内存条并不陌生,尽管其价格目前相当高昂。智能手机和轻薄笔记本通常采用 LPDDR 芯片,而显卡则将 GDDR 芯片集成在 GPU 周围。只要 RAM 容量充足,系统即可同时运行更多应用程序,无需频繁调用速度较慢的持久化存储。

根据 TrendForce 的数据,传统 DRAM 的合同价格在年初同比上涨了惊人的 90% 至 95%。这一波动主要源于人工智能数据中心对内存供应的巨大吸纳效应,各大科技公司正竞相建设此类设施。虽然具体的交易动态有所停滞,但这仅是众多市场影响案例之一。

去年,微软宣布关闭 Crucial 消费品牌,旨在将资源更多地倾斜于利润率更高的人工智能数据中心需求,该业务已于今年 2 月停止运营。这并非消费者首次遭遇内存短缺问题:早在 2017 年,华为就曾将 P10 部分批次设备性能表现归咎于内存供应紧张。

ROM 如何演变为非只读存储

早期的 ROM 芯片将数据物理嵌入电路中,任何修改都需要返回工厂重新制造。1956 年,美国 Bosch Arma 公司的发明家 Wen Tsing Chow 设计了可编程 ROM(PROM),允许美国空军通过在芯片内引爆微型保险丝的方式,将目标数据载入导弹制导计算机。PROM 的每一次写入都是永久性的,包括任何潜在的错误。

1971 年,Intel 工程师 Dov Frohman 推出了 EPROM。这是他在研究另一款 Intel 产品可靠性故障后开发的可擦除芯片。每个 EPROM 都有一个小的石英窗口,通过紫外线照射几分钟即可清除芯片内容并重新编程。随后的 EEPROM 摒弃了紫外线擦除方式,改用电气信号进行擦写。东芝的 Fujio Masuoka 进一步将该概念推向闪存领域,NOR 闪存于 1984 年问世,NAND 闪存紧随其后于 1987 年推出。如今,市场上的每一块 SSD、智能手机、存储卡和 USB 驱动器均采用 NAND 技术。

尽管 PC 主板上的固件芯片仍常被称为 BIOS ROM,但其本质是一个小型闪存芯片。手机情况类似,例如小米在 Redmi 13 规格表中列出的“ROM”,实际上是标准的 UFS 或 eMMC 闪存。一个有趣的事实是:旧式塑料游戏盒中确实存在真正的 ROM 芯片,这也是模拟器文件被称为“ROM”的历史渊源。

如今,真正的只读存储器仅存在于廉价电子产品的底层应用中,用于运行永不改变的代码。在其他场景下,RAM 的定义仍沿用 60 年前的含义,而 ROM 一词已逐渐演变为指代那些用户不应随意触碰的存储区域的简称。

评论 0

0/500

评论需审核后展示,请文明发言

💬
还没有评论,来说两句

相关阅读