美光发布DRAM路线图：放弃4F2，转向3D堆叠与定制化内存
美光公布DRAM路线图，放弃4F2转向3D堆叠。其1γ工艺已量产，1δ节点预计2027年投产，比特密度提升20%。公司还将引入晶圆键合及High-NA EUV技术，以响应AI定制化内存需求。
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美光向台籍员工发放超3.1万美元奖金。受AI存储热潮驱动，此次涵盖绩效奖金及升值奖金等。尽管分红丰厚，近七成工会成员仍拒绝最新提议，劳资谈判将于11月继续。
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美光调整DRAM路线图，引入晶圆键合与垂直内存。1δ工艺2027年量产，比特密度提升20%；后续节点将采用High-NA EUV及新材料，并开发vHBM等垂直集成方案以应对原子极限挑战。
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美光宣布终止4F2 DRAM规划，转向6F2及3D架构。德博尔指出该架构未带来预期密度收益，反而增加制造复杂性与成本。电容间距才是决定位密度的关键，而非晶体管面积。
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美光CEO：RAM短缺或持续至2028年
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