据 SemiAnalysis 分析师 Tim Culpan 报道，埃隆·马斯克旗下的 Terafab 计划于 2027 年中期从 ASML 获得其首台 EUV（极紫外）光刻设备。然而，由于该工厂的外部建设预计要到 2027 年底才能完工，这一时间差引发了业界关注。
奥斯汀研究工厂与设备安装时间表
Tesla 已于今年 4 月在得克萨斯州奥斯汀附近的 Giga Texas 北校区建立了研究工厂。根据 SemiAnalysis 的预测，该建筑将在未来 15 个月内竣工。随后，Tesla 预计需要约 6 个月的时间来安装设备和生产工具。一旦准备就绪，该设施将开始晶圆加工流程——更准确地说，是进行芯片生产的尝试，以便为 Terafab 批量生产工厂第一阶段的全面运营做准备。
考虑到当前 ASML Twinscan NXE EUV 光刻工具的稀缺性，提前数月接收并存储这些昂贵设备似乎是一种高风险策略。不过，这也侧面印证了 Terafab 对供应链优先级的重视。
技术路线：依托 Intel 14A 工艺与传统光源
向 Terafab 提供传统 EUV 光刻系统的事实表明，尽管马斯克曾公开赞扬自由电子激光（FEL）作为光刻光源的前景，但 Terafab 的第一代生产努力仍将依赖更为成熟的传统设备。这并不令人意外，因为 Terafab 计划采用 Intel 的 14A 制造技术。Intel 14A 不仅使用现有的低数值孔径（Low NA）EUV 扫描仪，还将结合下一代高数值孔径（High NA）机器。
若采用非传统且大部分未经测试的光源，光刻系统将需要对制造工艺进行大量修改，包括广泛的设备资格认证、光罩及光阻剂的潜在变更等。这将使 Intel 14A 技术的转移复杂化，并可能延迟 Terafab 的生产进度。因此，选择标准光刻设备有助于规避早期风险。
Grimes County 工厂建设与投产预期
SpaceX 于 2026 年 8 月初宣布选定得克萨斯州 Grimes County 作为 Terafab 的所在地。现有证据显示，当地工作已超越土地清理阶段，承包商似乎在 9 月初已开始结构建设，尽管地基的具体用途尚未完全披露。
SemiAnalysis 指出，Terafab Grimes 第一阶段的建设周期预计为 20 个月。分析师预测该工厂将于 2029 年底开始运营，并在 2030 年中期达到量产水平。
值得注意的是，SpaceX 早在 2026 年 4 月就订购了半导体制造设备，比正式宣布选址早了几个月。这表明该公司在公开动工前就已锁定制造计划。鉴于先进半导体设备的长交付周期，这一举动使得 2028 年中期完成设备安装的预测具备可信度。
与 Intel 及 TSMC 的工艺节点对比
Intel 计划在 2027 年下半年利用其 14A（1.4nm 级）制造工艺开始风险生产，如果进展顺利，将于 2028 年下半年进入大批量制造（HVM）。这意味着 Intel 的 HVM 进程至少比 SpaceX 的 Terafab Grimes 第一阶段提前 1.5 年。
因此，虽然 Terafab 将获得经过验证的先进制造技术，但它不会成为当时绝对最领先的生产节点。TSMC 计划在 2029 年底启动其 A12 工艺的批量生产，这是一个 1.2 纳米级的工艺，采用第二代纳米板 GAA 晶体管和后端功率传输技术。与此同时，Intel 也将在同一时期推出其 14A-P 节点。
尽管如此，对于主要服务于 SpaceX、Tesla 和 xAI 的 Terafab 而言，略微滞后的工艺节点并非致命缺陷。通过内部生产设施抵消使用更复杂制造技术所带来的潜在成本增加，仍是该公司的核心战略考量。
