无EUV下中国芯片制造:DUV多重曝光的成本与局限
中国芯片厂商用DUV多重曝光逼近5纳米工艺,但成本与缺陷率显著上升。专家分析指出,超过三次曝光后EUV更具性价比,且对齐误差导致晶圆利用率下降,实际位产出仅为西方同行三分之一左右。
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中国芯片厂商用DUV多重曝光逼近5纳米工艺,但成本与缺陷率显著上升。专家分析指出,超过三次曝光后EUV更具性价比,且对齐误差导致晶圆利用率下降,实际位产出仅为西方同行三分之一左右。
清华校友创办的朗道硅光展示EUV光源原型,输出功率超15W。该设备仅为光刻机核心组件之一,距商用整机落地预计还需三到五年时间。
ASML Q3营收创纪录,光刻机需求超产能至2028年。AI驱动下,其营收同比增55%,毛利率达57.5%新高。CEO称供不应求将持续数年,部分客户已意向订购至2030年设备。
ASML发布2026年Q3财报,净销售额117亿欧元。受AI需求驱动,全年销售预测上调至至少430亿欧元。尽管计划扩产,CEO坦言仍难满足积压订单,并宣布将从2027年起提高产品价格。
Terafab计划2027年中期获首台EUV光刻机。因工厂建设滞后,设备需提前数月存储,该厂将采用Intel 14A工艺及传统光源,预计2030年中期量产。
Synopsys发布AI自主代理平台AgentEngineer。该方案覆盖六大工程领域,验证速度最高提升50倍,已有超50家客户试用,计划2026年底实现通用可用。
ASML欧洲营收归零,呼吁欧盟刺激芯片需求。其高管透露2026年前两季度向欧销售光刻机数量为零,收入占比从5%降至0%。因欧洲缺乏新厂投资,ASML建议政策转向拉动本土半导体消费,而非仅补贴建厂。