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无EUV下中国芯片制造:DUV多重曝光的成本与局限

中国芯片厂商用DUV多重曝光逼近5纳米工艺,但成本与缺陷率显著上升。专家分析指出,超过三次曝光后EUV更具性价比,且对齐误差导致晶圆利用率下降,实际位产出仅为西方同行三分之一左右。

Terafab计划2027年获首台EUV光刻机

Terafab计划2027年中期获首台EUV光刻机。因工厂建设滞后,设备需提前数月存储,该厂将采用Intel 14A工艺及传统光源,预计2030年中期量产。

ASML欧洲营收归零,呼吁欧盟刺激芯片需求

ASML欧洲营收归零,呼吁欧盟刺激芯片需求。其高管透露2026年前两季度向欧销售光刻机数量为零,收入占比从5%降至0%。因欧洲缺乏新厂投资,ASML建议政策转向拉动本土半导体消费,而非仅补贴建厂。