GTA VI 带动 PS5 Pro 缺货，溢价近 500 美元
GTA VI 带动 PS5 Pro 缺货，溢价近 500 美元。受 AI 产业挤占内存产能影响，主机供应持续紧张，部分渠道售价超 1500 美元。短缺预计最早持续到 2027 年初，硬件销量创 13 年新低。
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ROM早已非只读：闪存演变与内存涨价
ROM早已非只读，现代存储普遍可读写。受AI数据中心需求驱动，传统DRAM合同价年初同比上涨90%至95%，微软亦关闭Crucial消费品牌以倾斜资源，内存市场正经历显著波动。
IDC：2026Q3全球PC出货降20% 组件成本占比升至40%
IDC数据显示2026Q3全球PC出货降20%。受AI热潮推动，DRAM和SSD成本占比升至40%，推高终端售价并抑制需求。尽管库存压力或带来短期折扣，但整体价格维持高位，市场前景严峻。
AI推高内存成本致全球PC市场Q3大跌21%
AI推高内存成本，全球PC市场Q3出货量大跌21%。DRAM和SSD占组件成本近四成，惠普、戴尔等品牌出货量显著下滑。IDC预计价格难回低位，行业面临严峻挑战。
三星2026Q3业绩预计翻倍，AI内存需求驱动增长
三星发布初步指引，预计2026年Q3销售额翻倍至1450亿美元，营业利润近九倍。AI内存需求激增是核心驱动力，但产能倾斜致PC等消费电子组件涨价，供应紧缩或持续至2028年。
内存危机致欧洲手机销量跌，运营商份额升至36%
内存危机致欧洲手机销量下滑，运营商份额逆势升至36%。AI驱动下存储组件短缺推高成本，重创低端公开市场，促使高端机型占比提升。Apple超越Samsung领跑运营商渠道，二手市场预计增长12%。
YMTC预测全球内存短缺将持续至少三年
YMTC内部人士预计全球内存短缺将持续至少三年。TrendForce指出，受美国云巨头需求推动，2026年第四季度RAM价格将显著上涨。目前DDR5价格已大幅攀升，供应平衡有望在2027年下半年恢复。
AI需求致电视处理器成本飙升，预计持续至2027年
AI需求致电视半导体成本飙升，处理器占比预计2026年达50%。Wi-Fi模块价格已超4K面板，这场危机将持续至2027年，或引发电视涨价与规格降低。
美光Q4毛利率创87%纪录，移动业务运营利润率高达88%
美光Q4毛利率创87%纪录，收入达542亿美元。移动业务运营利润率高达88%，各板块利润显著增长。公司预计未来内存供应将更紧张，下季度收入有望再创新高。
美光：内存短缺或持续至2028年，毛利率创纪录
美光称内存短缺或持续至2028年。CEO表示明年产能已售罄，客户需支付更高价格。尽管毛利率创纪录达86.25%，但AI驱动的需求激增使供需失衡加剧，行业紧张程度预计超过今年。
美光CEO：2027-28年内存供应将更紧张
美光CEO称2027-28年内存供应将更紧张。尽管规划了额外洁净室空间，公司仍无法预测供需何时恢复平衡。目前DRAM价格已涨约17%-19%，NAND上涨约30%，且超75%的2027年产量已被分配。
麦克龙警告：2027-2028年RAM短缺加剧，机器人需求成主因
麦克龙警告2027至2028年RAM短缺将加剧。机器人产业成主因，单台人形机器人或需超200GB DRAM及多TB存储。即便AI热潮消退，物理AI带来的高内存需求仍将推升硬件成本。
美光CEO：RAM短缺或持续至2028年
美光CEO警告RAM短缺或持续至2028年。受AI驱动，HBM需求增速超DRAM，公司明年产能已基本售罄且价格将大幅上涨。尽管计划投入巨资建新厂，但新增设施短期内难以缓解供需矛盾。
树莓派营收激增90%股价涨30%，固件限制RAM升级
树莓派股价一周飙升超30%。半年营收激增90%至2.57亿美元，税前利润暴涨216%，主要受OEM采用率加速及AI产品线扩展驱动。同时，新固件限制RAM升级，将设备锁定在原始内存大小，但可通过降级引导加载程序绕过。
AI数据中心扩张致入门级手机出货量预计降40%
AI数据中心扩张挤压内存产能，入门级手机出货量预计2030年降40%。DRAM价格翻倍致成本攀升，厂商缩减低价线，中端市场成竞争主战场，数字鸿沟或加剧。
AI驱动DRAM价格创新高，单位面积价值超台积电N2
AI需求推高DRAM价格，最新1b代内存单位面积价值达0.654美元，超台积电N2晶圆加工费。该数据基于现货价格估算，反映当前存储市场供不应求下的高溢价现状。
长鑫存储第五代DRAM工艺量产，半间距缩至11.95nm
长鑫存储第五代DRAM工艺量产。该工艺半间距缩至11.95nm，首批24Gb LPDDR5X芯片容量提升50%，已进入国内主流旗舰手机供应链。
长鑫存储量产第五代DRAM工艺，内存密度翻倍
长鑫存储量产第五代DRAM工艺。该工艺将内存密度翻倍，并推出24GB LPDDR5X模块。若定价合理，有望缓解全球内存短缺，利好中国电子制造商。
长鑫存储计划进军NAND闪存领域
据Toms Hardware报道，中国内存制造商长鑫存储（CXMT）正计划将业务扩展至NAND闪存领域，拟为SSD生产闪存芯片。目前该公司主营DRAM，具体时间表及产能细节尚未披露。
AI需求挤压DRAM供应 短缺或延续至2027年后
分析人士认为，人工智能基础设施支出持续激增将挤压DRAM供应，短缺可能延续至2027年之后，业界普遍预期这一紧张局面短期难以缓解。