受人工智能产业需求驱动，存储器价格正攀升至历史高位。据 Kurnal Insights 观察，按单位面积计算，内存芯片的制造成本可能已超越台积电（TSMC）N2 和 N3 制程工艺下的计算芯片加工价格。尽管这一对比具有参考价值，但需结合特定前提进行解读。
DRAM 晶圆价格比 TSMC N3 晶圆价格更贵 pic.twitter.com/uWqizOZ6iG2026 年 9 月 20 日
名义晶圆面积价格对比
根据媒体泄露的信息，Kurnal Insights 估算使用台积电 N3 技术处理的 300mm 晶圆成本为 20,000 美元，折合每平方毫米约 0.283 美元；而采用 N2 技术的晶圆价格预计更高，达到 30,000 美元，即每平方毫米约 0.424 美元。需要指出的是，上述数据基于非官方信息，且未扣除不可用的晶圆边缘、切片、测试结构、缺陷或良率损耗，因此仅可视为“名义晶圆面积价格”，而非实际可用硅片的价格。
DRAM 的成本计算逻辑有所不同。Kurnal 假设每 Gb DRAM 价格为 1.50 美元，并结合不同代际的比特密度进行换算：
- 1y DRAM：密度 0.219Gb/mm²，折算价值约 0.329 美元/mm²；
- 1z DRAM：密度 0.273Gb/mm²，折算价值约 0.410 美元/mm²；
- 1b DRAM：密度 0.436Gb/mm²，折算价值高达 0.654 美元/mm²。
数据显示，最新一代 1b DRAM 的单位面积潜在价值显著高于台积电 N2 晶圆的加工成本估值（0.424 美元/mm²）。
现货价格验证与概念差异
Kurnal Insights 设定的 1.50 美元/GB 假设值与当前 DDR5 eTT 内存的现货价格高度吻合。据 DRAMeXchange 统计，9 月 21 日 16Gb DDR5 eTT 芯片的平均成交价为 24.80 美元，折合 1.55 美元/Gb。在此价格基准下，密度为 0.436Gb/mm² 的 1b DRAM 单位面积价值约为 0.676 美元/mm²，仅比 Kurnal 预估的 0.654 美元/mm² 高出 3%。
值得注意的是，两组数据的定义存在本质区别：台积电 N2/N3 的数字代表其向客户收取的晶圆加工费，属于生产成本范畴；而 DRAM 的数字则代表包含在 1 平方毫米内的内存潜在销售价值，反映的是制造商在假设售价下从给定模板面积中理论上可获得的收入。
比较局限性与市场现状
虽然生产 DDR5 内存的实际物理成本远低于使用台积电 N3 工艺制造逻辑芯片，但由于供不应求，存储厂商目前的定价水平远高于以往。然而，直接对比两者仍面临多重限制：
- 该计算未包含封装成本，而逻辑芯片通常依赖更昂贵的先进封装技术；
- 台积电作为代工方，实际晶圆价格受合同产量、客户身份及商业条款影响，并非固定不变；
- TrendForce 指出，DDR5 现货采购量有限且交易零星，现货价格未必能完全反映美光（Micron）、三星（Samsung）和 SK hynix 出售大部分 DRAM 时的合约价格。
若要得出更具经济意义的结论，应以合约 DRAM 价格为基准进行比较。目前具体的合约价格细节尚待披露，虽然已知其高于历史低位，但可能低于当前的现货高点。因此，断言 DRAM 制造商的晶圆价值绝对高于台积电的逻辑晶圆仍需更多数据支撑。
