据日本《每日新闻》报道，塔半导体（Tower Semiconductor）与日本政府计划向该公司日本业务共同投资 40 亿美元。此次扩张采取“双轨”策略：一方面重新利用闲置工厂并最大化现有 300 毫米晶圆厂的产能，另一方面新建一座 300 毫米工厂。预计至 2029 年，塔半导体在日本的产能将提升至每月相当于 45,000 片 300 毫米晶圆。
第一轨道：设施转换与产能扩充
第一阶段被称为“第一轨道”，主要涉及对位于新潟县阿贺野市（Arai）的 Fab 6 进行改造，将其从闲置的 200 毫米工厂转型为 300 毫米硅光子（SiPho）及先进光学封装制造基地。该基地将负责电子集成电路（EIC）与光子集成电路（PIC）的结合组装。同时，塔半导体将扩大位于富山县鱼津市（Uozu）附近的 Fab 7 中 SiGe EIC 和 SiPho PIC 的产量。
Fab 7 目前已完成认证并处于量产阶段，采用多种工艺技术，包括最新的 TPS65SG 及其他 TPS65 系列 65nm 级 SiGe 制造节点，以及 TPS45PHD 45nm 级 SiPho 制造技术。通过逐步安装新设备来增加 Fab 7 的产量，旨在满足人工智能行业对光引擎日益增长的需求，而非等待全新工厂完成漫长的工艺认证流程。
“第一轨道”计划于 2027 年第四季度达到全面生产就绪状态。塔半导体预计，该阶段将在 2028 财年为该公司带来约 36 亿美元的营收和 12 亿美元的净利润。
第二轨道：新建工厂与规模倍增
第二阶段即“第二轨道”与第一阶段同步启动，目标更为宏大，旨在将 SiGe EIC 和 SiPho PIC 的产量提升数倍。届时，塔半导体在日本将拥有两座专门生产 EIC 和 PIC 的工厂，以及一座经过改造用于组装光引擎的 Fab 6。
预计“第二轨道”将从 2029 年开始显著贡献财务业绩。届时，塔半导体在日本的总产能将达到每月 45,000 片 300 毫米晶圆的水平，较 2025 年的产能增长约 40 倍，并计划新增雇佣约 200 名员工。
这一大规模扩张反映了 AI 基础设施中光连接需求的激增。据《每日新闻》报道，塔半导体占据了服务器用光通信半导体代工市场 80% 以上的份额，客户包括 Marvell 等行业领导者，因此亟需扩大产能以应对市场需求。此外，日本经济产业省（METI）将为该项目提供额外 10 亿美元的支持，使总投资额达到约 40 亿美元。
尽管英特尔、台积电和格罗方德目前在共封装光学（CPO）领域处于领先地位，但塔半导体计划将 CPO 及相关制造技术引入其富山县鱼津市的工厂。虽然公司未披露具体的 CPO 路线图细节，但其现有的最新 EIC 和 PIC 工艺技术被认为足以推动光学组件进一步靠近计算核心。
塔半导体日本业务重组背景
此次重大扩张也与塔半导体在日本制造业务的结构性重组紧密相关。回顾历史，塔半导体于 2014 年通过与松下合资成立 TowerJazz Panasonic Semiconductor Co. (TPSCo) 确立其在日制造基础，其中塔半导体持股 51%，松下持股 49% 并注入了位于鱼津、射水和新居原的晶圆厂资产。随着松下于 2020 年退出半导体业务，其股份由日本华邦电子（Nuvoton Technology Corporation Japan, NTCJ）接手。
在该合资结构中，最重要的资产是位于鱼津的 Fab 7。这座 300 毫米设施已逐渐从原有的松下工厂转变为塔半导体的关键专业制造中心，支持 65nm 级 SiGe 和 45nm 级 SiPho 技术。
目前，塔半导体与华邦电子正在实质性拆解原有的 TPSCo 结构。根据 2026 年 3 月宣布、预计于 2027 年 4 月完成的协议，塔半导体将完全拥有并控制 Fab 7 及其 300 毫米制造业务；而华邦电子将完全拥有 TPSCo 及射水市的 Fab 5。与此同时，塔半导体重启了此前闲置的阿贺野 Fab 6，将其改造为 300 毫米 SiPho 和先进光学封装站点，并计划在 Fab 7 旁新建另一座 300 毫米工厂。
简而言之，十多年前塔半导体通过相对低成本的方式获得了松下的日本制造能力，如今正将其发展为一个完全自主控制的 300 毫米 SiPho 和 SiGe 生产枢纽，预计这将使公司的产量和收入实现倍数级增长。
