据路透社消息，全球两大 NAND 闪存巨头三星电子（Samsung Electronics）与 SK 海力士（SK Hynix）正加速升级其位于中国的工厂产能，旨在生产更先进的内存芯片以应对人工智能数据中心日益增长的需求。这一举措背景是利丰厚的人工智能 RAM 市场竞争加剧，迫使制造商削减面向消费者的产品线，同时两家公司还需面对来自中国本土存储厂商长鑫存储（CXMT）的激烈竞争。
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报道援引四位知情人士的话称，三星电子计划在今年年底前将其西安工厂转向生产 286 层闪存芯片。而在大连工厂，目标则是生产 240 层或更多层的芯片。该工厂于 2021 年被收购，但具体的新升级时间表目前尚不清楚。
尽管三星和 SK 海力士在应对中国芯片制造商威胁方面占据一定优势，但美国政府的出口管制法规给两家公司的工厂升级带来了额外复杂性。自 2022 年实施相关限制以来，这两家韩国公司在中国工厂安装美国制造的硬件设备必须获得许可。这一监管障碍被认为是长江存储（YMTC）等中国企业近期迅速崛起的原因之一。YMTC 在最近的 IPO 准备会议上向投资者表示，其目标是到 2027 年底成为全球最大的 NAND 闪存生产商。
虽然三星和 SK 海力士均表示正在与美国政府进行协商，但不可否认的是，审批流程阻碍了这些公司快速升级工厂以满足新的 AI 内存需求。
NAND 供应格局中，三星和 SK 海力士的地位至关重要。三星西安工厂贡献了其全球产量的约 40%，目前生产的芯片约为 200 层，而公司计划将其提升至 286 层的 V9 NAND 芯片。与此同时，SK 海力士大连工厂目前生产 192 层芯片，三位知情人士证实该公司的目标是迈向 240 层芯片。
另一方面，中国领先的芯片制造商长鑫存储（CXMT）正寻求超越传统的 DRAM 生产领域。2026 年 9 月的一份报告指出，该公司正在考虑生产用于固态存储（SSD）产品的 3D NAND 存储器。作为中国最大的 DRAM 生产商，CXMT 在经历多年亏损后，于 2026 年上半年实现了 224 亿美元的收入和 1157 亿美元的净利润。不过，相较于三星、SK 海力士和美光科技（Micron），CXMT 的整体规模仍然较小。
