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英特尔EMIB与Foveros封装技术演进及协同

英特尔EMIB与Foveros封装技术正从独立方案转向协同，旨在构建12倍光罩尺寸的系统级封装。最新路线图显示，EMIB凸块间距将缩至25微米，并引入MIM电容及TSV以优化高电流密度下的电源完整性。