无EUV下中国芯片制造：DUV多重曝光的成本与局限
中国芯片厂商用DUV多重曝光逼近5纳米工艺，但成本与缺陷率显著上升。专家分析指出，超过三次曝光后EUV更具性价比，且对齐误差导致晶圆利用率下降，实际位产出仅为西方同行三分之一左右。
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中国积累343台DUV光刻机，具备7nm潜力
华盛顿智库报告称，中国已积累343台DUV光刻机。其中270台为具备7nm潜力的NXT:1980i系列。尽管EUV受限，这些设备仍赋予本土工厂生产复杂处理器的能力，凸显出口管制存在漏洞。
中科院微电子所利用DUV光刻制造出GAA晶体管
中科院微电子所利用DUV光刻制造出GAA晶体管。该工艺旨在为无EUV环境下实现3纳米及以下制程提供路径，已验证器件栅控功能正常，但未披露关键几何参数，尚非量产方案。