Kioxia发布GP1驱动器,随机读取破20MIOPS

Kioxia发布PCIe 6.0 GP1驱动器,随机读取破20MIOPS。新款采用第三代XL-FLASH技术,速度较初代提升一倍,旨在以接近内存级性能切入AI存储市场。

Kioxia 发布新款 PCIe 6.0 GP1 驱动器,随机读取性能突破 20 MIOPS

  • Kioxia 升级版 GP 系列驱动器实现超过 2000 万随机读取 IOPS
  • 第三代 XL-FLASH 通过缩短布线及增加平面数量优化内存访问效率
  • Kioxia LD4 提供 15.36 TB 和 30.72 TB 两种容量版本

Kioxia 近日展示了其高性能存储技术的最新进展。在针对 512 字节数据块的随机读取测试中,新款 GP 系列驱动器的性能突破了 2000 万 IOPS(每秒输入/输出操作数)大关。

第三代XL-FLASH读提速三倍

作为对比,计划于 2026 年 8 月推出的初代 GP1 驱动器拥有约 1000 万 IOPS 的性能表现,这意味着新版本的速度约为早期模型的两倍。这一显著提升得益于第三代 XL-FLASH 内存技术的应用,该技术在读取速度上提升了三倍,写入速度则提高了约 150%。

闪存技术挑战 DRAM:Kioxia 的 AI 市场策略

Kioxia 正试图通过提供接近内存级速度的闪存解决方案,在人工智能基础设施市场中与 DRAM 展开竞争。随着 AI 应用带来新的性能需求,可扩展且高效的存储成为技术创新的关键基础。Kioxia 正在开发旨在改变游戏规则的高性能闪存方案,以应对这一挑战。

其核心的 XL-FLASH 技术旨在提供超越传统 SSD 的操作速度,支持更精细的 512 字节访问粒度,并降低每次操作的功耗。第三代 XL-FLASH 通过缩短字线和位线来减少 RC 延迟,同时每个模块中的平面数量相比第二代的 16 个有所增加。预计新架构将使读取效率提高约 40%,写入效率提高约 80%。

回顾第一代 GP1,它采用存储 2 位的 MLC 单元,支持更快的 SLC 模式,具备 16 平面布局,读取延迟低于 5 微秒。作为一款 PCIe 6.0 NVMe 2.2 驱动器,GP1 专为 GPU 直接访问存储设计,耐用性高达 50 DWPD(每日全盘写入次数)。目前 Kioxia 尚未透露升级型号的耐用性评级,也未确认是否保留 PCIe 6.0 接口,但鉴于技术演进路径,大概率将延续前代标准。

LD4 驱动器亮相:QLC 技术与 E1.L 封装

除高性能 GP 系列外,Kioxia 还展示了 LD4 驱动器。这是一款单端口 QLC(四层单元)产品,采用四通道 PCIe 5.0 链路,支持 E1.L 格式,每单元存储 4 位数据。

LD4 提供 15.36 TB 和 30.72 TB 两种容量规格。尽管其设计理论上可扩展至 122.88 TB 的超级扩展器,但相较于 Kioxia LC9 的 246 TB 容量,这一数字仍显得较为保守。具体而言,15.36 TB 型号填充了 E1.L 封装的四分之一空间,而 61.44 TB 版本则占据四分之三的空间。

LD4 搭载了 218 层 BiCS 8 闪存,被视为 2023 年 10 月发布的 LD2 的继任者。值得注意的是,Kioxia 跳过了 LD3 型号,使得 LD4 在间隔约三年后接替 LD2,并将接口从 PCIe 3.0 升级为更快的 PCIe 5.0。LD2 当时也提供了相同的容量选项。

在规范兼容性方面,LD4 支持 NVMe 2.0、OCP 规范 2.6,并提供全路径数据丢失保护。截至发稿时,Kioxia 尚未公布 LD4 的具体速度或耐用性数据。

在 E1.L 形态及 PCIe 5.0 接口领域,LD4 的主要竞争对手包括美光的 6550 ION、大普微的 R6060 以及 FADU 的 Echo。

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