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无EUV下中国芯片制造：DUV多重曝光的成本与局限

中国芯片厂商用DUV多重曝光逼近5纳米工艺，但成本与缺陷率显著上升。专家分析指出，超过三次曝光后EUV更具性价比，且对齐误差导致晶圆利用率下降，实际位产出仅为西方同行三分之一左右。