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KAIST研发EF-SCN技术实现二维半导体单晶可控生长

KAIST团队研发EF-SCN技术，实现二维半导体单晶可控生长。该工艺利用横向蚀刻流抑制随机核化，在400个测试位点中397个成功生成单晶，良率达99.3%，且晶体管载流子迁移率优于此前报道。