# 带隙

半导体带隙突破7eV，逼近绝缘体边界

Nature最新研究制备出带隙超7eV的半导体，刷新纪录并逼近绝缘体边界。大带隙材料在高电压高温场景优势显著，此成果将半导体性能极限推向传统绝缘体领域。