iPhone 18 Pro高容量版QLC闪存实测性能衰减明显

iPhone 18 Pro高容量版实测性能衰减。Homolab测试显示,其QLC闪存缓存耗尽后写入速度骤降至79.4MB/s,存储占用60%时更低至45MB/s。日常使用影响有限,但视频录制等大负载任务需注意。

苹果 iPhone 18 Pro 系列近期正式开售,其中高容量版本采用了基于 QLC 的 NAND 闪存技术。Bilibili 科技频道 Homolab 对一台 1TB 容量的 iPhone 18 Pro Max 进行了存储性能测试,结果显示在持续繁重的工作负载下,该设备的存储性能出现显著衰减。

缓存耗尽后写入速度跌至79.4MB/s

QLC(Quad-Level Cell)技术允许每个内存单元存储四位数据,而 TLC(Triple-Level Cell)仅存储三位。这种更高的存储密度使得制造商能在相同物理空间内提供更大容量,但代价是性能下降,尤其是在处理大量数据时更为明显。

基准测试对比:QLC vs TLC

Homolab 将搭载 1TB QLC 闪存的 iPhone 18 Pro Max 与搭载 512GB TLC 闪存的 iPhone 18 Pro 进行了对比测试。数据显示:

  • 4K 读取测试:两种存储类型的表现相当接近。
  • 低队列深度混合工作负载:QLC 机型落后于 TLC 机型约 38%,得分分别为 8,168 和 11,285。
  • 高工作量场景:随着负载增加,两者差距缩小,但 TLC 模式仍保持约 12% 的性能优势。

持续写入性能分析

在持续写入测试中,性能瓶颈尤为突出。iPhone 18 Pro Max 首先利用快速的 SLC 缓存,可提供高达 3,000 MB/s 的速度。当 SLC 缓存耗尽后,系统切换至基于 TLC 的二级缓冲器,平均速度降至约 578 MB/s。

一旦两个缓存缓冲区均被填满,手机必须直接写入底层的 QLC NAND。此时,持续写入性能骤降至 79.4 MB/s,偶尔甚至低至 25.6 MB/s。这一速度水平与许多廉价 microSD 卡相当,远低于支持高速传输的 microSD Express 卡。

此外,存储占用率对性能有直接影响。当设备存储空间使用率达到 60% 时,可用的 SLC 缓存从初始的 250GB 缩减至 58GB。这导致二级缓冲器的速度进一步下降至 396 MB/s,而直接写入 QLC 的平均速度仅为 45 MB/s,极端情况下甚至跌至 1.1 MB/s。

实际使用影响评估

需要指出的是,上述数据源自旨在模拟最恶劣情况的合成基准测试。对于浏览网页、发送短信、玩游戏或拍照等典型日常任务,用户不太可能感知到明显的性能差异。

然而,在执行特定高负载任务时,如录制 4K 或 ProRes 视频、传输大文件或进行数据备份恢复,存储速度的下降可能会引起注意。Homolab 的测试结果揭示了在高容量旗舰智能手机中使用 QLC NAND 所面临的权衡,这对于经常处理存储密集型任务的用户而言是一个值得关注的因素。

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