iPhone 18 Pro Max QLC 存储实测：重负载下写入速度低于 SD 卡
近日，Bilibili 频道 HOMOLAB 对搭载 1TB QLC 存储的 iPhone 18 Pro Max 进行了现实场景下的存储基准测试。结果显示，该机型在承受高负载写入任务时，闪存性能出现显著衰减，尤其在存储空间接近饱和的情况下，其表现甚至不及部分廉价 microSD 卡。
目前主流智能手机多采用 TLC（三级单元）闪存，每单元存储 3 位数据，在 3D NAND 技术加持下实现了速度、容量与耐用性的平衡。而 iPhone 18 Pro Max 的 1TB 版本则引入了 QLC（四级单元）存储，每单元存储 4 位数据。虽然这一技术提升了单芯片的物理容量，但由于每个单元格需区分更多电压状态，导致其读写速度和耐久性通常低于 TLC 方案。
HOMOLAB 将 iPhone 18 Pro Max（QLC）与基于 TLC 闪存的 512GB iPhone 18 Pro 进行了直接对比。在加权 4K 读取测试中，两者差距较小，QLC 机型得分为 46,045，TLC 机型为 51,282。然而，在混合读写负载下，性能差异明显扩大：低队列深度时，TLC 机型领先约 38%（11,285 对 8,168）；在高队列深度的繁重负载下，领先优势缩小至约 12%（35,992 对 32,219）。
测试进一步揭示了缓存机制耗尽后的性能瓶颈。iPhone 18 Pro Max 依赖小容量高速 SLC（单层单元）缓存处理突发写入，此时速度可超过 3,000 MB/s。当 SLC 缓存用尽后，系统回退至模拟 TLC 特性的二级缓冲区，平均速度降至 578 MB/s，但波动较大。一旦二级缓冲区也耗尽，设备将直接写入原生 QLC 存储，此时持续写入速度平均仅为 79.4 MB/s，最低跌至 25.6 MB/s。
随着驱动器填充程度提高，性能恶化加剧。当存储占用达到 60% 时，可用于快速缓存的空闲空间大幅减少，SLC 缓存容量从空载时的 250GB 骤降至 58GB。同时，TLC 模拟缓冲区的平均速度从 578 MB/s 降至 396 MB/s，原生 QLC 写入阶段的平均速度进一步滑落至 45 MB/s，最低仅 1.1 MB/s。这一表现低于其他旗舰手机中常见的基于 TLC 的 UFS 4.0 存储标准。
值得注意的是，尽管使用了通常在低端配置中出现的 QLC 技术，iPhone 18 Pro Max 1TB 版本的存储升级费用仍位居行业最高之列。
对于短信浏览、日常拍照等轻度使用场景，这种性能差异可能不易被察觉。但在长时间录制 4K 或 ProRes 视频、大文件传输及备份恢复等高强度持续写入场景中，问题将变得突出。而这恰恰是高容量机型用户最常遇到的使用情境。
